Correlation between the macroscopic ferroelectric material properties of Si:HfO2 and the statistics of 28 nm FeFET memory arrays

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • S. Mueller - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Henker - , Professur für Hochparallele VLSI-Systeme und Neuromikroelektronik (Autor:in)
  • S. Flachowsky - , Global Foundries Dresden (Autor:in)
  • P. Polakowski - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
  • J. Paul - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
  • Elliot Smith - , Global Foundries Dresden (Autor:in)
  • J. Müller - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)42-51
Seitenumfang10
FachzeitschriftFerroelectrics
Jahrgang497
Ausgabenummer1
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2016
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84969567622

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