Conduction barrier offset engineering for DRAM capacitor scaling
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 133-139 |
| Seitenumfang | 7 |
| Fachzeitschrift | Solid-state electronics |
| Jahrgang | 115 |
| Ausgabenummer | Part B |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2016 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84948085567 |
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