Complex internal bias fields in ferroelectric hafnium oxide

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • T. Schenk - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • M. Hoffmann - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Johannes Ocker - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Milan Pešić - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)20224–20233
Seitenumfang10
FachzeitschriftACS Applied Materials and Interfaces
Jahrgang7
Ausgabenummer36
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2015
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84941801088

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