Charge-Trapping Phenomena in HfO2 -Based FeFET-Type Nonvolatile Memories

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)3501 - 3507
Seitenumfang7
FachzeitschriftIEEE transactions on electron devices : ED
Jahrgang63
Ausgabenummer9
PublikationsstatusVeröffentlicht - 22 Juli 2016
Peer-Review-StatusJa

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