Charge-Trapping Phenomena in HfO2 -Based FeFET-Type Nonvolatile Memories

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • E. Yurchuk - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • J. Muller - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
  • S. Muller - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • J. Paul - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
  • M. Pesic - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • R. Van Bentum - , Global Foundries Dresden (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)3501 - 3507
Seitenumfang7
FachzeitschriftIEEE transactions on electron devices : ED
Jahrgang63
Ausgabenummer9
PublikationsstatusVeröffentlicht - 22 Juli 2016
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84979293996

Schlagworte

Bibliotheksschlagworte