Anti-ferroelectric-like ZrO2 non-volatile memory: Inducing non-volatility within state-of-the-art DRAM

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Beitragende

  • M. Pesic - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • M. Hoffmann - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • C. Richter - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2017 17th Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2017 - Conference Proceedings
Seitenumfang4
ISBN (elektronisch)978-1-5386-0477-9
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2017
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85043240193

Schlagworte