Anti-ferroelectric ZrO2, an enabler for low power non-volatile 1T-1C and 1T random access memories

Anti-ferroelectric ZrO₂, an enabler for low power non-volatile 1T-1C and 1T random access memories

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M. Pesic - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
M. Hoffmann - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
C. Richter - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
T. Kampfe - , Professur für Experimentalphysik/Photophysik (Autor:in)
L.M. Eng - , Professur für Experimentalphysik/Photophysik (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Originalsprache	Englisch
Titel	2017 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
Seiten	160-163
ISBN (elektronisch)	978-1-5090-5978-2
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2017
Peer-Review-Status	Ja

Reihe	European Conference on Solid-State Device Research (ESSDERC)
ISSN	1930-8876

Scopus	85033433121
ORCID	/0000-0002-2484-4158/work/142257535