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Forschungsportal der TU Dresden

Analysis of Vth variability in NbOx-based threshold switches

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Stefan Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
Melanie Herzig - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
Thomas Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
Martin Weiher - , Professur für Grundlagen der Elektrotechnik (GE) (Autor:in)
Alon Ascoli - , Professur für Grundlagen der Elektrotechnik (GE) (Autor:in)
Ronald Tetzlaff - , Professur für Grundlagen der Elektrotechnik (GE) (Autor:in)

Details

Originalsprache	Englisch
Titel	2016 16th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS)
Seiten	1-5
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2016
Peer-Review-Status	Ja

Externe IDs

Scopus	85010773968
ORCID	/0000-0001-7436-0103/work/142240360
ORCID	/0000-0003-1830-0370/work/142241791
ORCID	/0000-0003-3814-0378/work/142256243

Schlagworte

Schlagwörter

Niobium oxide, negative differential resistance, threshold switching