A Low-temperature Process for Device-quality Si/sio2 Interfaces on Si(111)

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • T YASUDA - (Autor:in)
  • DR LEE - (Autor:in)
  • CH BJORKMAN - (Autor:in)
  • Y MA - (Autor:in)
  • G LUCOVSKY - (Autor:in)
  • U EMMERICHS - (Autor:in)
  • C MEYER - , Professur für Raumfahrtsysteme (Autor:in)
  • K LEO - , Nokia Bell Laboratories Inc. (Autor:in)
  • H KURZ - (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
TitelMaterials Research Society Symposium Proceedings
Seiten375-380
Seitenumfang6
Band315
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1993
Peer-Review-StatusJa

Publikationsreihe

ReiheMRS online proceedings library
ISSN0272-9172

Externe IDs

Scopus 0027808769

Schlagworte