A computational study of hafnia-based ferroelectric memories: from ab initio via physical modeling to circuit models of ferroelectric device
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 1236–1256 |
| Seitenumfang | 21 |
| Fachzeitschrift | Journal of computational electronics |
| Jahrgang | 16 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2017 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 85028743057 |
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