A computational study of hafnia-based ferroelectric memories: from ab initio via physical modeling to circuit models of ferroelectric device

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Beitragende

  • M. Pešić - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • C. Künneth - , Hochschule für angewandte Wissenschaften München (Autor:in)
  • M. Hoffmann - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • H. Mulaosmanovic - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Müller - , Ferroelectric Memory Company (Autor:in)
  • E.T. Breyer - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • A. Kersch - , Hochschule für angewandte Wissenschaften München (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)1236–1256
Seitenumfang21
FachzeitschriftJournal of computational electronics
Jahrgang16
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2017
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85028743057

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