Zweidimensionales Haeckelit-NbS2 –ein diamagnetischer Halbleiter mit Nb4+-Ionen und hoher Ladungsträgermobilität

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

  • Yandong Ma - , Universität Leipzig (Autor:in)
  • Agnieszka Kuc - , Universität Leipzig (Autor:in)
  • Yu Jing - , Universität Leipzig (Autor:in)
  • Pier Philipsen - , Software for Chemistry & Materials (Autor:in)
  • Thomas Heine - , Universität Leipzig (Autor:in)

Abstract

In allen bekannten Dichalkogenid-Monolagen (ML) von Übergangsmetallen der Gruppe 5haben die Metallzentren einen Spin, und ihre Grundzustandsphasen sind entweder metallischoder halbleitend mit indirekter Bandlücke. Auf Grundlage von Berechnungen aus ersten Prinzipien berichten wir hier über die Haeckelit-Polytypen 1S-NbX2 (X = S, Se, Te). Diese sind diamagnetische Halbleiter mit direkter Bandlücke, obwohl die Nb-Atome im Oxidationszustand 4 + vorliegen. Dagegen sind 1S-VX2-ML antiferromagnetische Halbleiter mit indirekter Bandlücke. Die 1S-Phasen sind thermodynamisch und dynamisch stabil, jedoch haben sie eine etwas hçhere Energie als ihre 1H-und 1T-ML-Polytopen. 1SNbX2-ML kçnnten sich aufgrund ihrer kleinen Bandlücken (zwischen 0.5 und 1eV) hervorragend für optoelektronische Anwendungen eignen. Weiterhin ist die Lochbeweglichkeit in 1S-NbS2-ML mit 2.68 ” 103 cm2 V1 s1 besonders hoch, hçher als z.B. in MoS2 und vergleichbar mit WSe2.

Details

OriginalspracheDeutsch
Seiten (von - bis)10348-10352
Seitenumfang5
FachzeitschriftAngewandte Chemie - International Edition
Jahrgang129
Ausgabenummer34
PublikationsstatusVeröffentlicht - 14 Aug. 2017
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa

Schlagworte

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