Die vorliegende Erfindung beschreibt eine verbesserte Methode zur Herstellung von halogenierten Fullerenen, welche die Reaktion von Fulleren mit mindestens einem Halogenatom darstellt. Die Erfindung beinhaltet eine Herstellungsmethode, um selektiv ein halogeniertes Fulleren zu erhalten und die gleichzeitige Isolierung des hergestellten halogenierten Fullerens. Die Erfindung beinhaltet eine Herstellungsmethode, mit der größere Stoffmengen umgesetzt und gleichzeitig isoliert werden können. Die Erfindung beschreibt die Verwendung des Fullerens C60F36 als p-Dotand für Lochtransportschichten in halbleitenden organischen Bauelementen mit einer Schichtanordnung, welche eine Elektrode und eine Gegenelektrode sowie eine Folge organischer Schichten aufweist, die zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode angeordnet sind.