Untersuchungen zur Reihenschaltung von 4,5 kV Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modulen

Publikation: Hochschulschrift/Abschlussarbeit › Dissertation

Beitragende

Details

OriginalspracheDeutsch
QualifizierungsstufeDr.-Ing.
Gradverleihende Hochschule
Betreuer:in / Berater:in
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2019
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