Top-gate organic depletion and inversion transistors with doped channel and injection contact

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer103301
FachzeitschriftApplied physics letters
Jahrgang106
Ausgabenummer10
PublikationsstatusVeröffentlicht - 9 März 2015
Peer-Review-StatusJa

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