Top-gate organic depletion and inversion transistors with doped channel and injection contact
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Aufsatznummer | 103301 |
| Fachzeitschrift | Applied physics letters |
| Jahrgang | 106 |
| Ausgabenummer | 10 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 9 März 2015 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84924359592 |
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