Thienoacene dimers based on the thieno[3,2-b]thiophene moiety: Synthesis, characterization and electronic properties

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Beitragende

  • Claude Niebel - , Université libre de Bruxelles (ULB) (Autor:in)
  • Yeongin Kim - , Stanford University (Autor:in)
  • Christian Ruzié - , Université libre de Bruxelles (ULB) (Autor:in)
  • Jolanta Karpinska - , Université libre de Bruxelles (ULB) (Autor:in)
  • Basab Chattopadhyay - , Université libre de Bruxelles (ULB) (Autor:in)
  • Guillaume Schweicher - , Université libre de Bruxelles (ULB) (Autor:in)
  • Audrey Richard - , Université libre de Bruxelles (ULB) (Autor:in)
  • Vincent Lemaur - , Universite de Mons (Autor:in)
  • Yoann Olivier - , Universite de Mons (Autor:in)
  • Jérôme Cornil - , Universite de Mons (Autor:in)
  • Alan R. Kennedy - , University of Strathclyde (Autor:in)
  • Ying Diao - , Stanford University (Autor:in)
  • Wen Ya Lee - , Stanford University (Autor:in)
  • Stefan Mannsfeld - , Professur für Organische Bauelemente (cfaed), Professur für Organische Bauelemente (Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik) (Autor:in)
  • Zhenan Bao - , Stanford University (Autor:in)
  • Yves H. Geerts - , Université libre de Bruxelles (ULB) (Autor:in)

Abstract

Two thienoacene dimers based on the thieno[3,2-b]thiophene moiety were efficiently synthesized, characterized and evaluated as active hole-transporting layers in organic thin-film field-effect transistors. Both compounds behaved as active p-channel organic semi-conductors showing averaged hole mobility of up to 1.33 cm2 V-1 s-1.

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)674-685
Seitenumfang12
FachzeitschriftJournal of Materials Chemistry. C, Materials for optical and electronic devices
Jahrgang3
Ausgabenummer3
PublikationsstatusVeröffentlicht - 21 Jan. 2015
Peer-Review-StatusJa

Schlagworte

Forschungsprofillinien der TU Dresden

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