Symmetrical Al2O3-based passivation layers for p- and n-type silicon

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • D.K. Simon - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • P.M. Jordan - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • I. Dirnstorfer - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • F. Benner - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • C. Richter - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)72-76
Seitenumfang5
FachzeitschriftSolar energy materials and solar cells
Jahrgang131
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2014
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84908394561

Schlagworte

Bibliotheksschlagworte