SINGLE LAYER ReS2H2 : STABILITY, RAMAN ACTIVITY AND ELECTRONIC PROPERTIES
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Fachzeitschrift | Anadolu University journal of Sciences and Technology = Anadolu Üniversitesi Bilim Ve Teknoloji dergisi |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 31 Okt. 2018 |
| Peer-Review-Status | Ja |