Physical Mechanisms behind the Field-Cycling Behavior of HfO2-Based Ferroelectric Capacitors

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Milan Pešić - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • F.P.G. Fengler - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • L. Larcher - , University of Modena and Reggio Emilia (Autor:in)
  • A. Padovani - , University of Modena and Reggio Emilia (Autor:in)
  • T. Schenk - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • E.D. Grimley - , North Carolina State University (Autor:in)
  • X. Sang - , North Carolina State University (Autor:in)
  • J.M. LeBeau - , North Carolina State University (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)4601-4612
Seitenumfang12
FachzeitschriftAdvanced functional materials
Jahrgang26
Ausgabenummer25
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2016
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa

Externe IDs

Scopus 84966318696

Schlagworte

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