Organic heterostructure device with nonvolatile memory behavior using electrically doped layers

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer233305
Seitenumfang3
FachzeitschriftApplied Physics Letters
Jahrgang93
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2008
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

researchoutputwizard legacy.publication#32851
Scopus 57649131603

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