Numerical simulation of ballast resistor behavior in HBT`s
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Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
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Titel | 11th III-V- Semiconductor Device Simulation Workshop |
Erscheinungsort | Institut d`Elecronique de Microélectronique du Nord, University of Lille, France |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 1 Mai 1999 |
Peer-Review-Status | Ja |
Extern publiziert | Ja |