Hall effect in the MnBi 2 Te 4 crystal using silicon nitride nanomembrane via contacts

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

  • Mickey Martini - , Institut für Angewandte Physik (IAP), Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • Tommaso Confalone - , Institut für Angewandte Physik (IAP), Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • Yejin Lee - , Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • Bastian Rubrecht - , Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • Giuseppe Serpico - , Università degli Studi di Napoli Federico II (Autor:in)
  • Sanaz Shokri - , Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • Christian N. Saggau - , Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • Domenico Montemurro - , Università degli Studi di Napoli Federico II (Autor:in)
  • Valerii M. Vinokur - , Terra Quantum AG, City University of New York (Autor:in)
  • Anna Isaeva - , Universiteit van Amsterdam (Autor:in)
  • Kornelius Nielsch - , Professur für Metallische Werkstoffe und Metallphysik (gB/IFW), Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)
  • Nicola Poccia - , Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden (Autor:in)

Abstract

Utilizing an interplay between band topology and intrinsic magnetism, the two-dimensional van der Waals (vdW) system MnBi 2 Te 4 provides an ideal platform for realizing exotic quantum phenomena and offers great opportunities in the emerging field of antiferromagnetic spintronic technology. Yet, the fabrication of MnBi2Te4-based nanodevices is hindered by the high sensitivity of this material, which quickly degrades when exposed to air or to elevated temperatures. Here, we demonstrate an alternative route of fabricating vdW-MnBi2Te4-based electronic devices using the cryogenic dry transfer of a printable circuit embedded in an inorganic silicon nitride membrane. The electrical connections between the thin crystal and the top surface of the membrane are established through via contacts. Our magnetotransport study reveals that this innovative via contact approach enables exploring the MnBi2Te4-like sensitive 2D materials and engineering synthetic heterostructures as well as complex circuits based on the two-dimensional vdW systems.

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer223102
FachzeitschriftApplied physics letters
Jahrgang123
Ausgabenummer22
PublikationsstatusVeröffentlicht - 27 Nov. 2023
Peer-Review-StatusJa

Schlagworte

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