Gating hysteresis as an indicator for silicon nanowire FET biosensors
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Aufsatznummer | 950 |
| Fachzeitschrift | Applied Sciences (Switzerland) |
| Jahrgang | 8 |
| Ausgabenummer | 6 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2018 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 85048453193 |
|---|---|
| ORCID | /0000-0002-9899-1409/work/142249196 |