Fieldemitter-based ESD-protection circuits for high-frequency devices and IC's

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

  • K. Bock - , Technische Universität Darmstadt (Autor:in)
  • H. L. Hartnagel - , Technische Universität Darmstadt (Autor:in)

Abstract

Based on investigations to find the thresholds of the ESD voltage inducing degradations to GaAs Schottky diodes and MESFETS, we have developed and fabricated new ESD protection structures based on electron field emission. Using these GaAs electron field-emitter wedges we have designed and fabricated protection circuits integrated in GaAs microwave devices to prevent the devices from degradation caused by ESD.

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)263-279
Seitenumfang17
FachzeitschriftJournal of Electrostatics
Jahrgang31
Ausgabenummer2-3
PublikationsstatusVeröffentlicht - Dez. 1993
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa

Externe IDs

ORCID /0000-0002-0757-3325/work/139064994