Ferroelectricity in Si-doped HfO2 revealed: a binary lead-free ferroelectric

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Dominik Martin - (Autor:in)
Johannes Müller - , Core Facility Bio-Bildanalyse (Autor:in)
Tony Schenk - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
Thomas M Arruda - (Autor:in)
Amit Kumar - , Professur für Mikrosystemtechnik (Autor:in)
Evgheni Strelcov - (Autor:in)
Ekaterina Yurchuk - (Autor:in)
Stefan Müller - (Autor:in)
Darius Pohl - , Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden (Autor:in)
Thomas Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed), Technische Universität Dresden (Autor:in)

ORCID	/0000-0002-4859-4325/work/142253296
ORCID	/0000-0003-3814-0378/work/142256114