Dually active silicon nanowire transistors and circuits with equal electron and hole transport

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)4176–4181
FachzeitschriftNano Letters
Jahrgang13
Ausgabenummer9
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2013
Peer-Review-StatusJa

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