Dually active silicon nanowire transistors and circuits with equal electron and hole transport
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
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Seiten (von - bis) | 4176–4181 |
Fachzeitschrift | Nano Letters |
Jahrgang | 13 |
Ausgabenummer | 9 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2013 |
Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
Scopus | 84884249918 |
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