Dually active silicon nanowire transistors and circuits with equal electron and hole transport
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 4176–4181 |
| Fachzeitschrift | Nano Letters |
| Jahrgang | 13 |
| Ausgabenummer | 9 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2013 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84884249918 |
|---|