Comparison of the RF large signal performance of common -source,-drain and -gate amplifiers using GaAs MESFETs

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Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
TitelWorkshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated CircuitsEurope
ErscheinungsortAegean See
SeitenVI 5-6
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1 Dez. 2000
Peer-Review-StatusJa

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