Bismuth-containing III-V semiconductors: Epitaxial growth and physical properties
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Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
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Titel | Molecular Beam Epitaxy |
Herausgeber (Verlag) | Elsevier Inc. |
Seiten | 139-158 |
Seitenumfang | 20 |
ISBN (Print) | 9780123878397 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2013 |
Peer-Review-Status | Ja |
Extern publiziert | Ja |