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2021 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)

ISSNs: 2161-4636

Weitere durchsuchbare ISSN (elektronisch): 2161-4644

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Fachzeitschrift: Zeitschrift

Titel	2021 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) Silicon Nanoelectronics Workshop 2021 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021
Weitere durchsuchbare Titel	2021 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021
ISSNs	2161-4636
Weitere durchsuchbare ISSN (elektronisch)	2161-4644
Verlag	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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530 Physik

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Veröffentlichungen

Impact of the Ferroelectric and Interface Layer Optimization in an MFIS HZO based Ferroelectric Tunnel Junction for Neuromorphic based Synaptic Storage

Ali, T., Sünbül, A., Mertens, K., Revello, R., Lederer, M., Lehninger, D. & Müller, F. & 11 weitere, Kühnel, K., Rudolph, M., Oehler, S., Hoffinann, R., Zimmermann, K., Biedermann, K., Schramm, P., Czernohorsky, M., Seidel, K., Kämpfe, T. & Eng, L. M., 2021, in: 2021 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021. S. 1

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzartikel › Beigetragen › Begutachtung

Influence of microstructure on the variability and current percolation paths in ferroelectric hafnium oxide based neuromorphic FeFET synapses

Lederer, M., Müller, F., Varanasi, A., Olivo, R., Mertens, K., Lehninger, D. & Raffel, Y. & 5 weitere, Hoffmann, R., Ali, T., Seidel, K., Kämpfe, T. & Eng, L. M., 2021, in: 2021 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021. 63.

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzartikel › Beigetragen › Begutachtung

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